Intel відповість TSMC і Samsung новою технологією 14A2 для 1,4-нм чипів

Intel планує суттєво оновити свою дорожню карту виробничих технологій. За даними ETNews, компанія розглядає запуск вдосконаленого техпроцесу 14A2, який стане розвитком базового 14A та отримає нову систему двостороннього підведення живлення. Такий крок має допомогти Intel конкурувати з майбутніми 1,4-нм техпроцесами TSMC і Samsung.

Читайте также: “id Software фактично мертва”: після масштабних скорочень студія може перетворитися на команду

Intel потрібно наздоганяти конкурентів

Попит на чипи для штучного інтелекту та високопродуктивних обчислень продовжує стрімко зростати. Через величезний обсяг замовлень виробники дедалі активніше шукають альтернативи TSMC, звертаючи увагу на Intel і Samsung.

Втім, Intel ще потрібно довести, що її контрактне виробництво здатне успішно працювати із зовнішніми клієнтами. Особлива увага зараз прикута до технологій 18A-P, 14A та 14A2.

За інформацією ETNews, Samsung уже значною мірою оптимізувала свої транзистори Gate-All-Around (GAA), а TSMC стабілізувала вихід придатних кристалів для сімейства N2 у 2025–2026 роках. Очікується, що до початку ризикового виробництва Intel 14A конкуренти вже постачатимуть на ринок продукцію за 1,4-нм техпроцесами.

Найближчими роками конкуренція між трьома найбільшими контрактними виробниками чипів лише посилиться. TSMC планує запустити виробництво за техпроцесом A14 уже наступного року, тоді як Samsung розраховує розпочати масове виробництво власної 1,4-нм технології у 2029 році. Intel, своєю чергою, готує до запуску 14A, який має залучити зовнішніх замовників до її контрактного виробництва.

Що нового запропонує Intel 14A2

Згідно з інформацією ETNews, Intel працює над техпроцесом 14A2, який стане вдосконаленою версією 14A. Базовий 14A використовує технологію PowerDirect із системою Backside Power Delivery Network (BSPDN), коли живлення подається із зворотного боку кристала. У 14A2 компанія може перейти до двосторонньої архітектури, яка подаватиме живлення одночасно з переднього та зворотного боку чипа. Такий підхід має компенсувати технічні труднощі, що виникають зі зменшенням розмірів елементів мікросхеми.

Читайте также: SpaceX спалила в атмосфері 260 супутників за пів року і хоче спалити ще сотні

Ще одна важлива зміна в Intel 14A2 стосується металевих міжз’єднань M0, які передають сигнали між транзисторами. У базовому техпроцесі 14A відстань між центрами двох металевих ліній становитиме 28 нм. У 14A2 Intel планує скоротити її до 21 нм. Менша відстань дозволяє розмістити більше транзисторів на тій самій площі кристала, що підвищує щільність компонування та потенційну продуктивність.

Intel також планує застосувати подвійне формування, яке допоможе ще більше збільшити щільність транзисторів. Базовий техпроцес 14A уже обіцяє приблизно 30% приросту щільності транзисторів, а 14A2 має покращити цей показник.

Чому Intel змінює систему живлення

Перехід до 21-нм M0 створює нові технічні виклики. Зменшення розмірів провідників збільшує їхній електричний опір, що може спричиняти втрати напруги. Крім того, наявні ультрамалі нанорозмірні наскрізні провідники, що проходять крізь кремнієву підкладку чипа (nTSV), які спочатку розроблялися для живлення лише зі зворотного боку, можуть не забезпечити стабільну роботу за такої високої щільності.

Саме тому Intel, за інформацією джерел, розглядає комбіновану архітектуру. Основне живлення надходитиме через BSPDN, а частину навантаження візьмуть на себе металеві шари з переднього боку кристала. Такий підхід також має покращити ефективність використання сучасних літографічних систем High-NA EUV, підвищивши економічну ефективність їхньої роботи.

Читайте также: Творці “Людини-павука: По той бік Всесвіту” розповіли про роботу над фіналом анімаційної трилогії

Джерело: wccftech 1, 2