Micron представила власну GDDR7 3 ГБ зі швидкістю 36 Гбіт/с
Micron слідом за Samsung та SK Hynix представила власний модуль GDDR7 3 ГБ з пропускною здатністю до 36 Гбіт/с.
Micron слідом за Samsung та SK Hynix представила власний модуль GDDR7 3 ГБ з пропускною здатністю до 36 Гбіт/с.
Нова пам’ять Samsung GDDR7 не тільки більша, але й швидша. Очікувані NVIDIA RTX 50 Super зможуть отримати модулі зі швидкістю 28,0 Гбіт/с, 32 Гбіт/с та 36 Гбіт/с. Нові більш щільні чипи мають обсяг 3 ГБ у тому ж формфакторі, що дає можливість встановлювати їх на ті ж “посадкові місця” на платі відеокарти. Раніше у відеокартах…
Південнокорейський виробник пам’яті SK hynix під час заходу SK AI Summit 2025 представив оновлену стратегію розвитку своїх DRAM і NAND-технологій. Компанія підтвердила, що наступне покоління графічної пам’яті GDDR7-Next і твердотілих накопичувачів PCIe Gen7 з’явиться не раніше 2029–2031 років. Ця дорожня карта охоплює як стандартні продукти, так і рішення, оптимізовані для ШІ-навантажень у сфері високопродуктивних обчислень,…